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沈阳科仪高真空定向凝固系统--DHN400 真空室结构:圆筒形上开盖 真空室尺寸::φ440x500mm 极限真空度:≤6.67E-5Pa 沉积源:无 样品尺寸，温度:约p80mmx230mm，1800°C 占地面积(长x宽x高):约2米x2米x2米 电控描述:手动 工艺:不含工艺

沈阳科仪高真空单辊旋淬及喷铸系统--XC500 真空室结构:圆筒形前开门 真空室尺寸:φ500X300mm 极限真空度:≤6.67E-5Pa 沉积源: 样品尺寸，温度:感应熔炼10克纯铁样品，在30秒钟内化 占地面积(长x宽x高):约2.7米x1.4米x2米 电控描述:手动 特色参数: 高速辊轮线速度0-50m/s可调;坩埚手动直线进给机构;条带接收器:Ф125x1500

沈阳科仪高真空电子東蒸发薄膜沉积系统--EB700 真空室结构: U形前开门 真空室尺寸:700x700x900mm 极限真空度:≤6.6E-5Pa 沉积源:6个40cc坩埚 样品尺寸，温度:4英寸，26片，最高300℃C 占地面积(长x宽x高):约3.2米x3.9米x2.1米 工艺:片内膜厚均匀性:≤3% 特色参数: 工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根据用户基片尺

沈阳科仪高真空电弧熔炼及吸铸系统--DHL400 真空室结构:圆筒形上升盖 真空室尺寸:φ400X320mm 极限真空度:≤8.0E-5Pa 沉积源:无 样品尺寸，温度: 占地面积(长x宽x高):约2.1米x2.2米x2.2米 电控描述:手动 工艺:不含工艺 特色参数:共有5工位(半球窝SR35)，3熔炼合金工位(带磁搅拌)，1吸铸工位，1熔炼除气工位;

沈阳科仪高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统--PLD450 真空室结构:球形前开门 真空室尺寸:450mm 极限真空度:≤6.67E-6Pa 沉积源:2英寸靶材，4个 样品尺寸，温度:2英寸，1片，最高800℃C 占地面积(长x宽x高):约1.8米x0.97米x1.9米 电控描述:全自动

沈阳科仪高真空电子東及热阻薄膜沉积系统 真空室结构:U形前开门 真空室尺寸:500x500x600mm 极限真空度:≤6.67E-5Pa 沉积源:4个11cc坩埚 样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800C 占地面积(长x宽x高):约2.7米x1.7米x2.1米 电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性:≤+3% 特色参数:样品可自转，转速可调